業界トップクラス※の低損失を実現した650V耐圧IGBTを開発 – ROHM | ROHM製品について

※2026年6月18日現在ローム調べ

ローム株式会社（本社：京都市）は、車載向けの電動コンプレッサやHVヒーター、産業機器向けのインバータなどに最適な、650V耐圧の第4世代IGBT^*1を開発しました。

車載対応の650Vクラス品として業界トップクラス^※の低導通損失V_CE(sat)＝1.55Vを実現するとともに、高短絡耐量^*2を備え、車載信頼性規格AEC-Q101^*3に準拠しています。

本製品は、プロセス及び外周構造も含めたデバイス構造を見直すことで、電流密度を向上するとともに、導通損失とスイッチング損失を低減しています。

さらに、低損失化とトレードオフの関係にある高短絡耐量もTj＝25℃時で7マイクロ秒（μs）を確保。これにより、アプリケーションの高効率化と信頼性向上に貢献しています。

ラインアップはTO-247Nパッケージの「RGAxxTS65HR／RGAxxTS65EHR」12機種と、ベアチップの「SG83xxWN」10機種を展開します。

また、TO-247-4Lパッケージの「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」12機種についても開発を進めています。

また、各種デザインモデルや回路設計に必要な資料を取り揃えており、ロームの公式Webサイトからダウンロードすることができます。

ロームは今後、同パッケージでのさらなる機種展開と、TO-263Lパッケージや上面放熱（TSC：Top-Side Cooling）パッケージを採用した、小型かつ表面実装可能なIGBT製品の開発を予定しています。

高性能なIGBT製品のラインアップ拡充に取り組み、自動車や産業機器アプリケーションの高効率駆動、小型化に貢献していきます。

＜開発の背景＞

高電圧化が進む電気自動車では、主機インバータ等の大電力を取り扱うアプリケーションで高効率なSiCの採用が進む一方、車載用電動コンプレッサやHVヒーターなど電力容量の小さい補機類では、スイッチングデバイスに650V耐圧のIGBTが広く採用されています。

また、産業機器でもモーターやコンプレッサ等を中心にシリコンIGBTが多く用いられており、今後も需要の拡大が見込まれます。

こうしたアプリケーションでは、省エネルギー化や筐体の小型化が求められており、パワーデバイスにも信頼性の向上や小型化、高効率化が強く求められています。

特にインバータやヒーター回路では、短絡時の過電流を検知して遮断するまでの時間に耐えられる短絡耐量が不可欠です。

こうした背景から、ロームはデバイス構造を見直し、高電圧に適応しながら低損失特性と高短絡耐量を両立した第4世代IGBTを開発しました。

ディスクリート品

Part No.		Collector- Emitter Voltage V_CES [V]	Collector Current I_C (T_C=100℃) [A]	Conduction Loss V_CE(sat) (Typ.) [V]	Short-Circuit Withstand Time T_SC (Tj=25℃) [μs]	Built-In Fast Recovery Diode	Operating Temperature Range Tj [℃]	AEC- Q101	Package
NEW RGA60TS65HR	購入はこちらデータシート	650	35	1.55	7	–	-40 to +175	Yes	TO-247N (16.0×21.0×5.0mm)
NEW RGA60TS65EHR	購入はこちらデータシート		35			○
NEW RGA80TS65HR	購入はこちらデータシート		–
NEW RGA80TS65EHR	購入はこちらデータシート		○
NEW RGA00TS65HR	購入はこちらデータシート		52			–
NEW RGA00TS65EHR	購入はこちらデータシート		52			○
NEW RGAX2TS65HR	購入はこちらデータシート		62			–
NEW RGAX2TS65EHR	購入はこちらデータシート		62			○
NEW RGAX5TS65HR	購入はこちらデータシート		74	1.60		–
NEW RGAX5TS65EHR	購入はこちらデータシート		74	1.60		○
NEW RGAY0TS65HR	購入はこちらデータシート		88	1.65		–
NEW RGAY0TS65EHR	購入はこちらデータシート		88	1.65		○

Part No.	Data Sheet	Collector- Emitter Voltage V_CES [V]	Collector Current I_C (T_C_=100℃) [A]	Conduction Loss V_CE(sat) (Typ.) [V]	Short-Circuit Withstand Time T_SC (Tj=25℃) [μs]	Built-In Fast Recovery Diode	Operating Temperature Range Tj [℃]	AEC-Q101	Package
☆ RGA60TR65HR	–	650	35	1.55	7	–	-40 to +175	Yes	TO-247-4L (16.0×23.45×5.0mm)
☆ RGA60TR65EHR	–		35			○
☆ RGA80TR65HR	–		44			–
☆ RGA80TR65EHR	–		44			○
☆ RGA00TR65HR	–		52			–
☆ RGA00TR65EHR	–		52			○
☆ RGAX2TR65HR	–		62			–
☆ RGAX2TR65EHR	–		62			○
☆ RGAX5TR65HR	–		74	1.60		–
☆ RGAX5TR65EHR	–		74	1.60		○
☆ RGAY0TR65HR	–		88	1.65		–
☆ RGAY0TR65EHR	–		88	1.65		○

☆ : Under Development

ベアチップ品

Part No.		Collector- Emitter Voltage V_CES [V]	Collector Current I_C (T_C=100℃) [A]	Conduction Loss V_CE(sat) (Typ.) [V]	Short-Circuit Withstand Time T_SC (Tj=25℃) [μs]	Chip Size
Part No.		Collector- Emitter Voltage V_CES [V]	Collector Current I_C (T_C=100℃) [A]	Conduction Loss V_CE(sat) (Typ.) [V]	Short-Circuit Withstand Time T_SC (Tj=25℃) [μs]	X [mm]	Y [mm]	Thickness [μm]
NEW SG8351WN	お問い合わせデータシート	650	20	1.55	7	3.08	3.08	75
NEW SG8352WN	お問い合わせデータシート		25			3.10	3.48
NEW SG8353WN	お問い合わせデータシート		30			3.52	3.52
NEW SG8359WN	お問い合わせデータシート		40			3.74	4.10
NEW SG8355WN	お問い合わせデータシート		50			4.20	4.39
NEW SG8356WN	お問い合わせデータシート		60			3.90	5.48
NEW SG8358WN	お問い合わせデータシート		75			4.50	5.70
NEW SG8357WN	お問い合わせデータシート		100			5.70	5.70
☆ SG8360WN	–		150			6.82	6.82
☆ SG8361WN	–		200			7.75	7.75

EcoIGBT™（エコアイジービーティー）は、パワーデバイス分野において高耐圧が要求されるアプリケーションに最適なロームが開発するIGBTであり、デバイスとモジュールを総称したブランドです。

ロームは、ウエハ製造から製造プロセス、パッケージング、品質管理方法に至るまで、パワーデバイスの進化に不可欠な技術を独自で開発しています。

・EcoIGBT™は、ローム株式会社の商標または登録商標です。

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）: MOSFETの高速スイッチング特性とバイポーラ・トランジスタの低導通損失特性を併せ持ったパワートランジスタのこと。
*2) 短絡耐量: 負荷などが短絡（ショート）した際に、パワーデバイスが破壊せず耐えられる時間のこと。
*3) 車載信頼性規格「AEC-Q101」: AECはAutomotive Electronics Councilの略で、大手自動車メーカーと米国の大手電子部品メーカーが集い、策定した車載電子部品の信頼性規格。Q101は、ディスクリート半導体部品（トランジスタ・ダイオード等）に適用される規格である。