上面放熱の新パッケージ！高放熱と高耐圧を両立したSiC MOSFET – ROHM | ROHM製品について

ローム株式会社（本社：京都市）は、SiC MOSFETのTSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを開発しました。

新製品は、自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に配置した構造を採用することで、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱性能を実現します。

xEV（電動車）のオンボードチャージャー（OBC）や電動コンプレッサーなどにおいて、電力変換回路の高効率化と高信頼化に貢献します。

新製品は、パッケージに独自の溝を設けることで、業界最高クラス^※の沿面距離^*1 6.66mmを確保しました。

市場で広く普及するパッケージとの互換性を持ちつつ、汚染度2^*2 環境下で1200VのACピーク電圧対応を実現します。

これにより、高耐圧アプリケーションにおいて安全な絶縁設計が可能となるため、実装コストの削減と信頼性向上にも寄与します。

また、ロームの第4世代SiC MOSFETを搭載することにより、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現。

電力変換時のスイッチング損失を大幅に低減し、アプリケーションの高効率化と省電力化に貢献します。

なお、シミュレーションモデルもローム公式Webサイトで入手可能であり、迅速な回路検討をサポートします。

ロームは今後も、SiC MOSFETのさらなるラインアップ拡充を通じて、電子機器の高性能化・小型化・高信頼化に寄与します。

※2026年7月9日現在ローム調べ

Part No. for Consumer		Part No. for Automotive (AEC-Q101 Qualified)		V_DSS (Max.) [V]	R_DS(ON) (Typ.) [mΩ]	I_D (Max.) [A]
NEW SCT4013DTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4013DTWHR	購入はこちらデータシート	750	13	102
NEW SCT4020DTW	お問い合わせデータシート	NEW SCT4020DTWHR	お問い合わせデータシート		20	69
NEW SCT4026DTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4026DTWHR	購入はこちらデータシート		26	54
NEW SCT4036DTW	お問い合わせデータシート	NEW SCT4036DTWHR	お問い合わせデータシート		36	40
NEW SCT4045DTW	お問い合わせデータシート	NEW SCT4045DTWHR	お問い合わせデータシート		45	33
NEW SCT4065DTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4065DTWHR	購入はこちらデータシート		65	24
NEW SCT4018KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4018KTWHR	購入はこちらデータシート	1200	18	79
NEW SCT4027KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4027KTWHR	購入はこちらデータシート		27	54
NEW SCT4036KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4036KTWHR	購入はこちらデータシート		36	41
NEW SCT4050KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4050KTWHR	購入はこちらデータシート		50	31
NEW SCT4062KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4062KTWHR	購入はこちらデータシート		62	25
NEW SCT4090KTW	購入はこちらデータシート	NEW SCT4090KTWHR	購入はこちらデータシート		90	18

＜開発の背景＞

xEVでは、充電速度の向上や航続距離の延伸を目的として、主機インバータに加え、OBCや電動コンプレッサーなどの電力変換回路にもSiCデバイスの採用が拡大しています。

また、産業機器分野においても、高性能サーバー電源やPVインバータなどの高効率動作に寄与するデバイスとしてSiCデバイスの搭載が進んでいます。

従来のSiCデバイスは、大電力動作時の発熱を効率よく放散するため、放熱性に優れる挿入型パッケージが主流でした。

しかし、挿入型パッケージは手作業による実装工程を伴うほか、パッケージ形状の制約により低背化が難しいといった課題がありました。

こうした課題に対し、近年では自動実装が可能な面実装タイプのSiCデバイスが普及し始めています。

新製品は、面実装パッケージでありながら、TO-247などの挿入型パッケージと同等レベルの放熱性能を実現します。

EcoSiC™は、パワーデバイス分野においてシリコン（Si）を上回る性能で注目されている、シリコンカーバイド（SiC）素材を採用したデバイスのブランドです。

ロームは、ウエハ製造から製造プロセス、パッケージング、品質管理方法に至るまで、SiCの進化に不可欠な技術を独自で開発しています。

また、製造工程においても一貫生産体制を採用しており、SiC分野のリーディングカンパニーとしての地位を確立しています。

EcoSiC™は、ローム株式会社の商標または登録商標です。

*1）沿面距離: 2つの導電体間の絶縁物の表面に沿った最短距離のこと。半導体設計では、電撃や漏電、半導体製品の短絡（ショート）を防ぐため、こうした沿面距離や空間距離を確保した絶縁対策を行う必要がある。
*2）汚染度2: 汚染度2は、家庭やオフィスなど一般的な環境に相当し、乾燥した非導電性の汚染物だけが存在している状態。汚染度は、部品の空間距離や沿面距離を決定する際に影響を及ぼす環境の等級であり、汚染物質の有無や量、状態によって1～4に分類される。