ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT^*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗V_CE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力^*2，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101^*3。

该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。

产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。

此外，ROHM还提供各种设计模型和电路设计所需的资料，用户可从ROHM官网下载。

ROHM计划今后进一步扩展同一封装形式的型号阵容，并开发采用TO-263L封装和顶部散热（TSC：Top-Side Cooling）封装的小型且可表面贴装的IGBT产品。致力于通过扩充高性能的IGBT产品阵容，助力汽车和工业设备应用实现高效驱动及小型化。

＜开发背景＞

随着电动汽车向更高电压方向发展，在主驱逆变器等大功率应用中，高效SiC器件加速普及；而在车载电动压缩机、HV加热器等功率容量较小的辅助设备中，则广泛采用650V耐压的IGBT作为开关器件。另外，在工业设备领域，以电机和压缩机等为主的应用中也广泛采用硅基IGBT，预计未来相应的需求将持续增长。

这类应用需要更节能和更小的外壳尺寸，同时对功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的强烈需求。特别是对于变频器和加热器电路而言，在短路时从检测到过电流到切断电流的时间内的短路耐受能力至关重要。在这种背景下，ROHM通过器件结构等的改进，开发出既支持高电压，又同时实现了低损耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

＜产品阵容＞

分立产品

产品型号		集电极- 发射极电压 V_CES [V]	集电极电流 I_C (T_C=100℃) [A]	导通损耗 V_CE(sat)(Typ.) [V]	短路耐受时间 T_SC (Tj=25℃) [μs]	内置快速恢复二极管	工作温度范围 Tj [℃]	符合 AEC-Q101 标准	封装
NEW RGA60TS65HR	购买数据表	650	35	1.55	7	–	-40 to +175	Yes	TO-247N (16.0×21.0×5.0mm)
NEW RGA60TS65EHR	购买数据表		35			○
NEW RGA80TS65HR	购买数据表		–
NEW RGA80TS65EHR	购买数据表		○
NEW RGA00TS65HR	购买数据表		52			–
NEW RGA00TS65EHR	购买数据表		52			○
NEW RGAX2TS65HR	购买数据表		62			–
NEW RGAX2TS65EHR	购买数据表		62			○
NEW RGAX5TS65HR	购买数据表		74	1.60		–
NEW RGAX5TS65EHR	购买数据表		74	1.60		○
NEW RGAY0TS65HR	购买数据表		88	1.65		–
NEW RGAY0TS65EHR	购买数据表		88	1.65		○

产品型号	数据表	集电极- 发射极电压 V_CES [V]	集电极电流 I_C(T_C_=100℃) [A]	导通损耗 V_CE(sat) (Typ.) [V]	短路耐受时间 T_SC (Tj=25℃) [μs]	内置快速恢复二极管	工作温度范围 [℃]	符合 AEC-Q101 标准	封装
☆ RGA60TR65HR	–	650	35	1.55	7	–	-40 to +175	Yes	TO-247-4L (16.0×23.45×5.0mm)
☆ RGA60TR65EHR	–		35			○
☆ RGA80TR65HR	–		44			–
☆ RGA80TR65EHR	–		44			○
☆ RGA00TR65HR	–		52			–
☆ RGA00TR65EHR	–		52			○
☆ RGAX2TR65HR	–		62			–
☆ RGAX2TR65EHR	–		62			○
☆ RGAX5TR65HR	–		74	1.60		–
☆ RGAX5TR65EHR	–		74	1.60		○
☆ RGAY0TR65HR	–		88	1.65		–
☆ RGAY0TR65EHR	–		88	1.65		○

☆ : 开发中

裸芯片产品

产品型号		集电极- 发射极电压 V_CES [V]	集电极电流 I_C(T_C=100℃) [A]	导通损耗 V_CE(sat)(Typ.) [V]	短路耐受时间 T_SC (Tj=25℃) [μs]	芯片尺寸
产品型号		集电极- 发射极电压 V_CES [V]	集电极电流 I_C(T_C=100℃) [A]	导通损耗 V_CE(sat)(Typ.) [V]	短路耐受时间 T_SC (Tj=25℃) [μs]	X [mm]	Y [mm]	厚度 [μm]
NEW SG8351WN	联系我们数据表	650	20	1.55	7	3.08	3.08	75
NEW SG8352WN	联系我们数据表		25			3.10	3.48
NEW SG8353WN	联系我们数据表		30			3.52	3.52
NEW SG8359WN	联系我们数据表		40			3.74	4.10
NEW SG8355WN	联系我们数据表		50			4.20	4.39
NEW SG8356WN	联系我们数据表		60			3.90	5.48
NEW SG8358WN	联系我们数据表		75			4.50	5.70
NEW SG8357WN	联系我们数据表		100			5.70	5.70
☆ SG8360WN	–		150			6.82	6.82
☆ SG8361WN	–		200			7.75	7.75

＜应用示例＞

◇车载电动压缩机
◇车载HV加热器（PTC加热器，冷却液加热器）
◇工业设备用变频器

＜支持信息＞

ROHM官网提供各种电路设计所需的资料，包括可通过仿真忠实再现产品电气特性的SPICE模型，以及电路仿真用的PLECS模型等，均可从官网下载。更多详情请参阅Field Stop Trench IGBT产品信息。

＜关于“EcoIGBT™”品牌＞

EcoIGBT™是ROHM开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发功率元器件产品升级所必需的技术。

・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜术语解说＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、绝缘栅双极晶体管）: 同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。
*2) 短路耐受能力: 当负载等短路时，功率元器件能够承受而不至于损坏的时间。
*3) 车规标准“AEC-Q101”: AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。