ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

中国上海，2026年4月2日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻（R_dyn）^*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管^*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。

近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容（抑制高速通信时的信号劣化）”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。

对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容^*3仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压^*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。

这些优势有助于提高各种高速数据通信设备（例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品）的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes^*5通信的ADAS（高级驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄像头以及ECU（电子控制单元）等应用。

ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。

＜新产品参考资料”Featured Products”＞

支持高速接口
ESD保护二极管 RESDxVx系列（PDF:0.9MB）

参考资料

＜产品阵容＞

产品型号		绝对最大额定值 (Ta=25℃)			电气特性 (Ta=25℃)				极性	支持车载 AEC-Q101	封装 [mm]
产品型号		峰值脉冲电流 I_PP (Max.) [A]	ESD 耐受能力 V_ESD (Max.) [kV]	结温 Tj (Max.) [℃]	截止电压 V_RWM (Max.) [V]	击穿电压 V_BR (Typ.) [V]	动态电阻 R_dyn (I_pp=10A) [Ω]	引脚间电容 Ct (Typ.) (f=1MHz) [pF]	极性	支持车载 AEC-Q101	封装 [mm]
NEW RESD3V3BAED	购买数据表	±6	±15	150	3.3	±9.0	0.28	0.22	双向	－	DSN0603-2J (0.6×0.3, H=Max.0.3)
NEW RESD5V0BAED	购买数据表	±6			5.0	±9.0	0.28	0.22	双向	－
☆RESD3V3UAED	–	6			3.3	8.3	0.15	0.48	単向	－
☆RESD5V0UAED	–	6			5.0	8.3	0.15	0.48	単向	－
☆RESD3V3BCED	–	±6	±14		3.3	±7.0	0.36	0.28	双向	－
☆RESD3V6BCED	–	±6			3.6	±7.0	0.36	0.28	双向	－
NEW RESD3V3UCED	购买数据表	6			3.3	6.3	0.17	0.55	単向	－
NEW RESD3V6UCED	购买数据表	6			3.6	6.3	0.17	0.55	単向	－
NEW RESD3V3BASAFH	购买数据表	±6	±15	150	3.3	±9.0	0.30	0.24	双向	✓	DFN1006-2W (1.0×0.6, H=Max.0.4)
NEW RESD5V0BASAFH	购买数据表	±6			5.0	±9.0	0.30	0.24	双向	✓
NEW RESD3V3UASAFH	购买数据表	6			3.3	8.0	0.25	0.48	単向	✓
NEW RESD5V0UASAFH	购买数据表	6			5.0	8.0	0.25	0.48	単向	✓

☆ : 开发中

＜应用示例＞

适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网（10/100/1000Mbps）等各种接口的设备。

◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等

◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等

◆车载设备：ADAS（高级驾驶辅助系统）/AD（自动驾驶）/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台（影音系统、显示屏）等。

＜术语解说＞

*1) 动态电阻（Dynamic Resistance）: 表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。
*2)ESD保护二极管: 用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD（Electro-Static Discharge：静电放电）影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰（浪涌），来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。
*3) 引脚间电容（Capacitance Between Terminals）: 电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。
*4) 钳位电压: ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。
*5) SerDes: 成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器（Serializer）将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器（Deserializer）则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。